IGBT H30R1202 (30A, 1200V) – Thông số kỹ thuật và ứng dụng

Thông tin chung

IGBT H30R1202 là transistor công suất thuộc dòng Insulated Gate Bipolar Transistor, kết hợp tốc độ chuyển mạch nhanh của MOSFET với khả năng chịu dòng lớn của BJT. Với khả năng chịu dòng cực đại 30A và điện áp 1200V, sản phẩm này mang lại hiệu suất cao, tổn hao thấp và vận hành ổn định trong nhiều ứng dụng công suất vừa và lớn.

Sản phẩm hiện có dạng hàng tháo máy, đã được kiểm tra và test kỹ, bảo đảm chất lượng tốt khi sử dụng.

Thông số kỹ thuật cơ bản

Model: H30R1202

Cấu trúc: IGBT chuẩn

Dòng cực đại (Ic): 30A

Điện áp cực đại (Vce): 1200V

Điện áp gate (Vge): ±20V

Nhiệt độ hoạt động tối đa (Tj): 150°C

Tình trạng: Hàng tháo máy, đã test

Đặc tính và tính năng nổi bật

Tốc độ chuyển mạch nhanh, nâng cao hiệu suất làm việc.

Tổn hao thấp, giúp giảm sinh nhiệt trong quá trình vận hành.

Chịu được dòng lớn và điện áp cao.

Hoạt động ổn định trong môi trường công nghiệp khắc nghiệt.

Độ tin cậy cao, tuổi thọ bền, tiết kiệm chi phí bảo trì và thay thế.

Kết luận

Với thông số kỹ thuật mạnh mẽ và đặc tính vượt trội, IGBT H30R1202 là lựa chọn tin cậy cho các kỹ sư và thợ sửa chữa điện tử công suất. Sản phẩm hàng tháo máy được phân phối bởi Phong Tấn, đã qua kiểm tra kỹ, đảm bảo chất lượng tốt, mang đến giải pháp tiết kiệm và hiệu quả cho các ứng dụng công suất công nghiệp.